B

[解析] 随机存取方式是指CPU可以对存储器的任一存储单元中的内容随机存取，而且存取时间与存储单元的物理位置无关。选项A、C、D均采用随机存取方式，CDROM即光盘，采用串行存取方式。注意，CD-ROM是只读型光盘存储器，其访问方式是顺序访问，不属于只读存储器(ROM)。

D

[解析] 磁盘属于直接存取存储器，其速度介于随机存取存储器和顺序存取存储器之间，而选项D指的是存取时间。

C

[解析] 存取时间(T_a)指从存储器读出或者写入一次信息所需要的平均时间；存取周期(T_c)指连续两次访问存储器之间所必需的最短时间间隔。对T_c一般有：T_c=T_a+T_r，其中T_r为复原时间；对SRAM指存取信息的稳定时间，对DRAM指刷新的又一次存取时间。

B

[解析] 16MB=2²⁴B，由于字长为32位，现在按半字(16位=2B)寻址，故可寻址的单元数为2²⁴B/2B=2²³。

D

[解析] 相联存储器的基本原理是把存储单元所存内容的某一部分作为检索项(即关键字项)去检索该存储器，并将存储器中与该检索项符合的存储单元内容进行读出或写入。所以它是按内容或地址进行寻址的，价格较为昂贵。一般用来制作TLB、相联Cache等。

C

[解析] 操作系统保存在硬盘上，首先需要将其引导到主存中，而引导程序通常存放在ROM中，程序运行时需要进行读写操作，因此应采用RAM。

A

[解析] CPU不能直接访问硬盘，需先将硬盘中的数据调入内存才能被CPU所访问。

C

[解析] 计算的是存储器的带宽，每个存储周期读出16bit=2B，故而数据传输率是2B/(250×10^-9s)，即8×10⁶B/s。本题中8MB/s是8×1024×1024B/s。
   通常，数据传输率中的M指的是10⁶而非2²⁰，一般二进制表示的K、M仅用于存储容量相关计算。

B

[解析] 机器字长位64位，即8B，按字编址，故可寻址的单元个数是128MB/8B=16M。

B

[解析] 存储器有3个主要特性：速度、容量和价格/位(简称位价)。存储器采用分级方式是为了解决这三者之间的矛盾。

D

[解析] 计算机的存储系统包括CPU内部寄存器、Cache、主存和外存。

D

[解析] Cache中的内容只是主存内容的部分副本(拷贝)，因而“Cache—主存”结构并没有增加主存容量，是为了解决主存与CPU速度不匹配的问题。

D

[解析] 在存储器分层结构中，寄存器在CPU中，因此速度最快，Cache次之，主存再次之，最慢的是辅存(如磁盘、光盘等)。

D

[解析] 假设命中率为x，则可得到100x+1000(1-x)≤100×(1+15%)，简单计算后可得结果为x≥98.33%，因此命中率至少为99%。

A

[解析] 主存和辅存之间的数据调动则是由硬件和操作系统共同完成的，仅对应用级程序员透明。CPU与主存可直接交换信息。

A

[解析] 芯片容量为1024×8位，说明芯片容量为1024B，且以字节为单位存取，也就是说地址线数要10根(1024B=2¹⁰B)。8位说明数据线要8根，加上片选线和读/写控制线(读控制为RD、写控制为wE)，故而引脚数最小为10+8+1+2=21根。
   读写控制线也可以共用一根，但题中无20选项，做题时应随机应变。

C

[解析] 该芯片16位，所以数据线为16根，寻址空间32K=2¹⁵，所以地址线为15根。

B

[解析] 地址线只与RAM的存储单元个数有关，而与存储单元的字长无关。

B

[解析] DRAM的刷新按行进行。

B

[解析] 集中刷新必然存在死时间。采用分散刷新时，机器的存取周期中的一段用来读/写，另一段用来刷新，故不存在死时间，但是存取周期变长了。异步刷新虽然缩短了死时间，但死时间依然存在。

B

[解析] DRAM芯片的集成度高于SRAM，Ⅰ正确；SRAM芯片的速度高于DRAM，Ⅲ错误；可以推出DRAM芯片的成本低于SRAM，Ⅱ错误；SRAM芯片工作时不需要刷新，DRAM芯片工作时需要刷新，Ⅳ正确。

C

[解析] RAM属于易失性半导体，故A、B、D错误，SRAM和DRAM的区别在于是否需要动态刷新。

D

[解析] SRAM依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储0和1，A错误。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容上有电荷为1，无电荷为0，B错误。SRAM速度较快，不需要动态刷新，但集成度稍低，功耗大，单位价格高；DRAM集成度高，功耗小，单位价格较低，需定时刷新，故速度慢，故C错误、D正确。

B

[解析] 1024×8位，故可寻址范围是1024=2¹⁰B，按字节寻址。而采用地址复用技术，通过行通选和列通选分行列两次传送地址信号，故而地址线减半为5根，数据线仍为8根；加上行通选和列通选以及读/写控制线(片选线用行通选代替)4根，总共是17根。
   注意SRAM和DRAM的区别，DRAM是采用地址复用技术的，而SRAM不是。

A

[解析] 4M×8位的芯片数据线应为8根，地址线应为log₂4M=22根，而DRAM采用地址复用技术，地址线是原来的1/2，且地址信号分行、列两次传送。地址线数为22/2=11根，所以地址引脚与数据引脚的总数为11+8=19根，选A。此题需要注意的是DRAM是采用传两次地址的策略，所以地址线为正常的一半，这是很多考生容易忽略的地方。

A

[解析] 一般Cache采用高速的SRAM制作，比ROM速度快很多，因此Ⅲ是错误的。动态RAM需要刷新，而ROM不需要刷新，故Ⅳ错误。

A

[解析] 闪存是EEPROM的进一步发展，可读可写，用MOS管的浮栅上有无电荷来存储信息。闪存依然是ROM的一种，写入时必须先擦除原有数据，故写速度比读速度要慢不少(硬件常识)。闪存是一种非易失性存储器，它采用随机访问方式。现在常见的SSD固态硬盘，即由Flash芯片组成。

A

[解析] Cache由SRAM组成，掉电后信息即消失，属于易失性存储器。

C

[解析] U盘采用Flash Memory技术，它是在EEPROM的基础上发展起来的，属于ROM的一种。由于擦写速度和性价比均很可观，故而其常常可用做辅存。
   随机存取与随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)是不同的，只读存储器(ROM)也是随机存取的。因此，支持随机存取的存储器并不一定是随机存取存储器。

C

[解析] 因计算机的操作系统保存于硬盘上，所以需要BIOS的引导程序将操作系统引导到主存(RAM)中，而引导程序则固化于ROM中。

B

[解析] EPROM可多次改写，但改写较为繁琐，写入时间过长，且改写的次数有限，且速度较慢，因此不能作为需要频繁读写的RAM使用。

C

[解析] 动态半导体存储器是利用电容存储电荷的特性记录信息，由于电容会放电，必须在电荷流失前对电容充电，即刷新。方法是每隔一定时间，根据原存内容重新写入一遍，故Ⅰ错误。这里的读并不是把信息读入CPU，存也不是从CPU向主存存入信息，它只是把信息读出，通过一个刷新放大器后又重新存回到存储单元里去，而刷新放大器是集成在RAM上的。因此，这里只进行了一次访存，也就是占用一个存取周期，Ⅱ、Ⅳ正确，Ⅲ错误。

B

[解析] DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。SDRAM表示同步动态随机存储器。

设底层存储器访问时间为T，则有12ns=(0.90×5ns)+(0.10×T)
   求得T=75ns。